HOREXS Group được đặt tại Trung Quốc đại lục, có ba công ty con:Boluo HongRuiXing Electronics Co., Ltd (Tọa lạc tại Quảng Đông thành phố Huệ Châu), HongRuiXing (HuBei) Electronics Co., Ltd (Tọa lạc tại tỉnh HuBei), Horexs Electronics (HK) Co., Ltd (Đặt tại HK), Tất cả chỉ nằm ở vị trí khác nhau để đáp ứng nhu cầu của khách hàng về sản xuất chất nền ic.Horexs cung cấp các loại sản phẩm đế vi mạch khác nhau.Chất lượng cao và giá cả thuận lợi.Chúng tôi rất vui khi nhận được Yêu cầu của bạn và chúng tôi sẽ quay lại sớm nhất có thể.Chúng tôi gắn bó với nguyên tắc "chất lượng đầu tiên, dịch vụ đầu tiên, liên tục cải tiến và đổi mới để đáp ứng khách hàng" cho việc quản lý và "không có lỗi, không có khiếu nại" là mục tiêu chất lượng.Để hoàn thiện dịch vụ của mình, chúng tôi cung cấp các sản phẩm với chất lượng tốt với giá cả hợp lý.
HOREXS Huizhou Được xây dựng vào năm 2009
Công suất 15000sqm / tháng, quy trình làm lều, vật liệu BT, L / S 35/35um,
Chủ yếu là chất nền bộ nhớ (BGA), các bộ phận của chất nền gói MEMS / CMOS / MiniLED / Sip / FCCSP và các chất nền siêu mỏng khác.
HOREXS Hồ Bắc Được xây dựng vào năm 2020
HOREXS-Hubei cam kết phát triển chất nền vi mạch tại Trung Quốc, phấn đấu trở thành một trong ba nhà sản xuất chất nền vi mạch hàng đầu tại Trung Quốc và phấn đấu trở thành nhà sản xuất bảng mạch vi mạch đẳng cấp thế giới.Công nghệ như vật liệu L / S 20 / 20un, 10 / 10um.BT + ABF.Hỗ trợ: Liên kết dây Chất nền Liên kết dây (BGA) Chất nền Nhúng (Chất nền IC bộ nhớ) MEMS / CMOS, Mô-đun (RF, Không dây, Bluetooth) 2/4 / 6L (1 + 2 + 1/2 + 2 + 2/1 + 4 +1), Tích tụ (Chôn / Lỗ mù) Flipchip CSP;Những chất nền gói siêu ic khác.
Horexs là nhà sản xuất vật liệu đóng gói điện tử bán dẫn tiên tiến chuyên nghiệp của chất nền bao bì bán dẫn;Sản phẩm của Horexs được sử dụng rộng rãi trong gói lắp ráp và bán dẫn vi mạch (Sip / CSP / FCCSP / PBGA / LGA / FBGA / MEMS / CMOS / Mô-đun RF, v.v.). Chẳng hạn như chất nền Micro SD, chất nền cảm biến, chất nền gói FCCSP, chất nền thẻ vân tay và các siêu khác lớp nền mỏng.
Horexs được thành lập vào năm 2010, tổng vốn đầu tư 10 triệu nhân dân tệ, hiện có hơn 20 nhân viên kỹ thuật chuyên nghiệp, quản lý kỹ thuật và hơn 100 nhân viên kỹ thuật được đào tạo thường xuyên, năng lực sản xuất hàng tháng là 3000 mét vuông, nhà máy tổng diện tích 10000 mét vuông, bao gồm xưởng in, đo lường điện tử, xưởng thử nghiệm không bụi theo tiêu chuẩn xây dựng cao;Để đáp ứng nhu cầu cấu hình bảng mạch chính xác cao Máy khoan tốc độ cao Hitachi, dây chuyền sản xuất mạ điện tự động, in ấn, phơi sáng, phát triển, khắc, dát mỏng, vàng, vàng, NC tiêu chuẩn cao, một bộ thiết bị sản xuất đầy đủ;Đảm bảo sản phẩm đạt tiêu chuẩn tỷ lệ một trăm phần trăm, máy đo điện, kiểm tra đầu dò bay, thiết bị kiểm tra cho phòng phân tích hóa lý;Thiết lập trạm xử lý nước thải và hệ thống xử lý khí thải bảo vệ môi trường, các kim loại nặng bằng trao đổi ion nước thải hữu cơ, phức hợp, lọc than hoạt tính, phương pháp kết tủa hóa học để đạt hiệu quả xử lý đạt tiêu chuẩn xả thải và hàng loạt công nghệ tiên tiến.
Horexs tôn trọng các sản phẩm chất lượng cao, giao hàng nhanh, dịch vụ hoàn hảo, danh tiếng tốt, tiếp thị linh hoạt làm nền tảng của sự cạnh tranh trên thị trường;Được sự tin tưởng và ủng hộ của khách hàng tại đồng bằng sông Châu Giang và được khách hàng nước ngoài tin tưởng và ủng hộ.Cũng mong được làm việc với sự hợp tác khách hàng mới của chúng tôi, đạt được một tình huống đôi bên cùng có lợi, tạo ra một tương lai tốt đẹp hơn!
Sứ mệnh của Horexs là giúp khách hàng tiết kiệm chi phí bằng công nghệ tiên tiến của chúng tôi, Continously cung cấp công nghệ tốt nhất.
Năm 2009, nhà máy Horexs được xây dựng tại quận Boluo, thành phố Huệ Châu, TRUNG QUỐC; (Thành phố Thâm Quyến lân cận) (sản lượng 12000m2 hàng tháng)
Năm 2010, nhà máy Horexs bắt đầu sản xuất bộ nhớ nền gói ic;
Trong năm 2012, Horexs nhận ra 80% sản phẩm là thẻ nhớ / bo mạch nền IC, với 50um sapce;
Năm 2014, Horexs bắt đầu R&D các sản phẩm chất nền dạng gói MiniLED / MEMS;
Trong năm 2015, năng lực sản xuất của Horexs đạt 10000m2 hàng tháng;
Trong năm 2017, Horexs đã nhập thêm máy ép Laminate LDI / Mekki từ Nhật Bản;
Năm 2019, Horexs quyết định xây dựng nhà máy thứ hai tại tỉnh Hồ Bắc;
Năm 2020, Horexs xây dựng văn phòng SZ, chủ yếu phục vụ kinh doanh quốc tế, đồng thời, nhà máy thứ hai bắt đầu hoạt động;
Năm 2022, nhà máy Horexs Hồ Bắc chạy giai đoạn 1 vào tháng 7, Xây dựng mối quan hệ với SPIL;
Trong tương lai, Horexs sẽ tập trung nhiều hơn vào vi mạch đế lắp ráp IC gói pcb, và đưa nhiều hơn vào đội ngũ R&D của chúng tôi.
Chất nền vi mạch (2 lớp hoặc nhiều lớp) sản xuất / Hỗ trợ OEM / ODM. / Thiết kế lưu trữ và kiểm tra bảng mạch pcb, bảng mạch FR4 mỏng điện tử 5G, bảng mạch pcb mỏng điện tử y tế, thẻ SIM / thiết bị điện tử IoT / Bảng mạch nền gói Sip, chất nền gói cảm biến pcb, và các chất nền pcb siêu mỏng khác.
Bộ nhớ (BGA)
Thẻ MicroSD (T-Flash) là thẻ nhớ được tối ưu hóa cho thiết bị di động và được sử dụng cho thiết bị kỹ thuật số công nghệ cao như Điện thoại thông minh, Điện thoại DMB, PDA và Máy nghe nhạc MP3, v.v. Kích thước của nó bằng khoảng một phần ba Thẻ SD và nó có thể tương thích với thẻ SD bằng cách sử dụng bộ điều hợp bổ sung.
Chất nền Nand / Flash Memory như eMMC / MCP / UFS / DDR / LPDDR, chất nền MicroSD / TF / Dram;
Gói liên kết dây, ENIG / vàng mềm & cứng;
Quy trình san mực hàn;
Đặc trưng
PCB mỏng (> 0,08mm)
Công nghệ chồng cao
Độ mỏng Wafer:> 20um (DAF mỏng: 3um)
Ngăn xếp chip: <17 ngăn xếp
Xử lý khuôn mỏng: Đầu phun D / A chuyên dụng
Dây dài & Kiểm soát nhô ra (Au - 0,7mil)
Hệ thống đúc nén
Hợp chất xanh thân thiện với môi trường EMC
Saw Singulation & PKG Grinding
Chất nền: Chất nền loại ma trận 0,21um
Die Attach Adhesive: DAF không dẫn điện hoặc FOW
Dây vàng: Dây vàng 0,7mil (18um)
Nắp khuôn: Green EMC
Kiểm tra nhiệt độ: -40 ℃ (168 giờ) / 85 ℃ (500 giờ)
Kiểm tra Moiture và Ăn mòn: Độ ẩm tương đối 40 ℃ / 93% (500h), Phun nước muối 3% NaCl / 35 ℃ (24h)
Kiểm tra độ bền: 10.000 chu kỳ giao phối
Kiểm tra uốn: 10N
Kiểm tra mô-men xoắn: 0,10Nm, +/- 2,5 ° tối đa.
Thử nghiệm thả rơi: rơi tự do 1,5m
Kiểm tra tiếp xúc với ánh sáng UV: UV 254nm, 15Ws / ㎠
Một hớp
Hệ thống trong một gói (SiP) hoặc hệ thống trong gói là một số mạch tích hợp được bao bọc trong một hoặc nhiều gói mang chip có thể được xếp chồng lên nhau bằng cách sử dụng gói trên gói. SiP thực hiện tất cả hoặc hầu hết các chức năng của một hệ thống điện tử, và thường được sử dụng bên trong điện thoại di động, máy nghe nhạc kỹ thuật số, v.v. Các bánh chứa mạch tích hợp có thể được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc trên một chất nền.Chúng được kết nối bên trong bằng các dây mảnh được liên kết với gói.Ngoài ra, với công nghệ chip lật, các vết hàn được sử dụng để nối các chip xếp chồng lên nhau.SiP giống như một hệ thống trên chip (SoC) nhưng được tích hợp ít chặt chẽ hơn và không phải trên một khuôn bán dẫn duy nhất.
Các khuôn SiP có thể được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc hoặc xếp theo chiều ngang, không giống như các mô-đun đa chip ít dày đặc hơn, đặt các khuôn theo chiều ngang trên giá đỡ.SiP kết nối các khuôn với các liên kết dây tiêu chuẩn ngoài chip hoặc các vết hàn, không giống như các mạch tích hợp ba chiều dày đặc hơn một chút kết nối các khuôn silicon xếp chồng lên nhau với các dây dẫn chạy qua khuôn.
Gói: tương thích với các giải pháp BGA, LGA, Flip Chip, Hybrid, v.v.
Xử lý bề mặt: Soft Au, ENEPIG, ENIG, SOP, OSP
Hiệu suất tuyệt vời: kiểm soát độ rộng đường trở kháng tốt, hiệu suất tản nhiệt tuyệt vời
RF / Không dây: Bộ khuếch đại công suất, băng tần cơ sở, mô-đun thu phát, Bluetooth TM, GPS, UWB, v.v.
Người tiêu dùng: Máy ảnh kỹ thuật số, thiết bị cầm tay, thẻ nhớ, v.v.
Mạng / Băng thông rộng: Thiết bị PHY, trình điều khiển đường truyền, v.v.
Bộ xử lý đồ họa -.TDMB -.Máy tính bảng -.Điện thoại thông minh
Đặc trưng
SMD mật độ cao
Thành phần thụ động (≥ 008004)
SAW, bộ lọc BAW, X-tal, Bộ tạo dao động, Ăng-ten
EPS (Chất nền thụ động nhúng)
EAD (Thiết bị hoạt động được nhúng)
Core & Coreless Substrate
MCM, Kết hợp (F / C, W / B)
Ngàm hai bên (F / C, Thành phần thụ động)
Khuôn hai mặt
Mài khuôn
Đính kèm bi hàn hai mặt
EMI Che chắn
Độ nhạy ẩm: JEDEC Cấp độ 4
Unbias HAST: 130 ℃, 85% RH, 2atm, 98 giờ
Nhiệt độ.Đạp xe: -55 ℃ / + 125 ℃, 1000 chu kỳ
Nhiệt độ cao Lưu trữ: 150 ℃, 1000 giờ
Mô-đun
Lớp xây dựng: 4 lớp;
Dòng / khoảng trắng (Tối thiểu): 35 / 35um;
Tổng độ dày của bảng (Tối thiểu): 0,25mm (loại HDI)
Vật liệu cơ bản của chúng tôi là loại và độ mỏng tối ưu để đáp ứng yêu cầu của các sản phẩm gắn mô-đun về độ nhỏ gọn và chức năng cao và cho phép phát triển chế tạo vi mô cần thiết cho việc giảm kích thước dây / đất với mật độ cao theo yêu cầu của các bảng như vậy.
Độ dày của bảng 0,25mm (4 lớp) đạt được bằng cách sử dụng vật liệu cơ bản siêu mỏng / prereg
Bo mạch mỏng hơn có độ tin cậy cao phù hợp với bất kỳ loại cấu trúc kết nối lớp nào
Công nghệ mạ tạo ra một sản phẩm tối ưu cho kết nối bên trên mô-đun
Mô-đun máy ảnh
Mô-đun Bluetooth
Mô-đun không dây
Mô-đun khuếch đại công suất
MEMS / CMOS
Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS) là một công nghệ quy trình được sử dụng để tạo ra các thiết bị tích hợp nhỏ hoặc hệ thống kết hợp các thành phần cơ và điện.Chúng được chế tạo bằng kỹ thuật xử lý hàng loạt mạch tích hợp (IC) và có thể có kích thước từ vài micromet đến milimet.
Lớp bồi đắp: 2/4/6 lớp
Ứng dụng: Công nghiệp di động (Cảm biến camera), Cảm biến ô tô công nghiệp, Công nghiệp an ninh
Flipchip / BGA / CSP (phát triển lộ trình 2023-HOREXS)
Một tấm IC có các tiếp điểm lồi được gắn nghịch với một Chất nền mang, được gọi là Chất nền Chip Lật, như một giao diện đệm cho kết nối và truyền điện giữa tấm wafer và bảng mạch, để xác định Logic của tấm nền thông qua Quạt ra. chức năng của sóng mang Đầu ra cổng có thể đạt đến số lượng đầu vào tối đa vào cổng logic trên bảng mạch.Sự khác biệt với sóng mang hit-line là kết nối giữa chip và sóng mang là dây hàn thay vì dây Vàng, có thể cải thiện đáng kể mật độ tín hiệu (I / O) của cổng sóng mang) và cải thiện hiệu suất của chip, là xu hướng phát triển tích hợp trong tương lai
FC-BGA (mảng lưới bóng chip lật) trên nền gói bán dẫn mật độ cao cho phép chip LSI tốc độ cao với nhiều chức năng hơn.
FC-CSP (Flip Chip-CSP) có nghĩa là con chip gắn trong PCB được lật lại.So với CSP nói chung, sự khác biệt là kết nối giữa chip bán dẫn và chất nền không phải là liên kết dây, mà là va chạm.Vì nó không yêu cầu liên kết dây, nó nhỏ hơn nhiều so với những sản phẩm trải qua quá trình liên kết dây thông thường.Ngoài ra, nhiều chip và PCB được kết nối cùng một lúc, trái ngược với liên kết dây, đòi hỏi bạn phải kết nối từng con một.Hơn nữa, chiều dài kết nối ngắn hơn nhiều so với liên kết dây, do đó hiệu suất có thể được cải thiện.
Gói fcCSP là nền tảng chính trong gia đình gói Chip lật, cũng bao gồm loại khuôn trần, loại đúc (CUF, MUF), loại SiP, loại hỗn hợp (fcSCSP) và một hệ thống con gói đáp ứng dấu chân BGA tiêu chuẩn chứa nhiều thành phần bên trong cùng một gói (MCM fcCSP).Các tùy chọn cũng bao gồm các cấu hình có lõi mỏng, không chứa Pb và Cu Pillar và phương pháp xử lý (Mass reflow, TCNCP). , RFIC và DSP.
Dòng / Khoảng trắng: 15 / 15um & 20 / 20um.
Quy trình: Msap / Sap / Additive.
Bề mặt hoàn thiện: ENEPIG / Slective OSP, v.v.
Ứng dụng: Mạng, CPU, Ô tô, SOC, Gpu, v.v.
Đặc trưng
Lớp nền: 4 ~ 8 lớp
Độ cao phần lồi: Tối thiểu 130um (Vết hàn)
Trụ Cu (TCNCP ≤ 50um / Dòng chảy ngược ≥ 65um)
Kích thước khuôn: 0,8 ~ 12,5mm
Kích thước gói: 3 ~ 19mm
PCB: BT hoặc tương đương (2 ~ 6 lớp)
Bump: Eutectic, Pbfree, Cu Pillar
Flux: Hòa tan trong nước
Đổ đầy: Epoxy
EMC: Màu xanh lá cây (Alpha thấp)
Bóng hàn: Sn3.0Ag0.5Cu (Tiêu chuẩn)
Đánh dấu: Laser
Đóng gói: Khay JEDEC
Độ nhạy ẩm: JEDEC Cấp độ 3
Unbias HAST: 130 ℃, 85% RH, 2atm, 98 giờ
Nhiệt độ.Đạp xe: -55 ℃ / + 125 ℃, 1000 chu kỳ
Nhiệt độ cao Lưu trữ: 150 ℃, 1000 giờ
Chất nền Micro / MiniLED
Đèn LED mini dùng để chỉ chip LED có kích thước 100μm.Kích thước nằm giữa LED khoảng cách nhỏ và LED Micro.Đó là kết quả của việc cải tiến thêm đèn LED có khoảng cách nhỏ.Trong đó, đèn LED khoảng cách nhỏ dùng để chỉ đèn nền LED hoặc sản phẩm hiển thị có khoảng cách giữa các hạt đèn liền kề dưới 2,5mm.
Mini LED có hiệu ứng hiển thị tốt hơn, tốc độ phản hồi tăng theo thứ tự cường độ và màn hình có thể mỏng hơn và mỏng hơn, giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng. Với thời lượng pin kéo dài, LED mini có thời gian phản hồi nhanh hơn và nhiệt độ cao hơn độ tin cậy trong khi vẫn duy trì hiệu ứng hiển thị tuyệt vời và tính linh hoạt.
Đèn LED mini có thể được sử dụng làm đèn nền cho màn hình kích thước lớn, điện thoại thông minh, bảng điều khiển ô tô, máy tính xách tay thể thao điện tử và các sản phẩm khác, cũng như chip LED ba màu RGB để nhận ra màn hình tự chiếu sáng.
Mini LED là trạm tiếp theo của bảng điều khiển LCD, nâng cấp LED sân nhỏ, từ sân nhỏ thành “sân nhỏ hơn”, Mini, Micro LED thành hướng phát triển trong tương lai.Màn hình hiển thị trực tiếp Mini LED là phần mở rộng thêm của đèn LED có khoảng cách nhỏ và có thể được tích hợp liền mạch với gói khoảng cách nhỏ ở cả khía cạnh kỹ thuật và khách hàng.
FBGA
Công nghệ BGA lần đầu tiên được giới thiệu như một giải pháp cho các vấn đề liên quan đến số lượng chì ngày càng cao cần thiết cho các chất bán dẫn tiên tiến được sử dụng trong các ứng dụng như máy tính di động và viễn thông không dây.Khi số lượng dây dẫn xung quanh các mạch tích hợp tăng lên, các gói có số lượng dây dẫn cao gặp phải sự cố chập điện đáng kể.Công nghệ BGA đã giải quyết vấn đề này bằng cách tạo hiệu quả các đường dẫn trên bề mặt dưới cùng của gói hàng dưới dạng các vết sưng nhỏ hoặc bi hàn.
Đặc trưng
Chiều cao cấu hình thấp (Tối đa 0,47mm)
Ngửa mặt / Hừng đông
Tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC
MCP / SiP / Chip lật
Vật liệu xanh (không chứa Pb / tuân thủ RoHS)
Sân bóng ≥ 0,40mm
PCB: BT hoặc tương đương (2 ~ 6 lớp)
Chất kết dính: Dán hoặc phim
Dây: Au (0,6 ~ 1,0 triệu)
EMC: Màu xanh lá cây
Bóng hàn: Sn3.0Ag0.5Cu (Tiêu chuẩn)
Đánh dấu: Laser
Đóng gói: Khay JEDEC
Độ nhạy ẩm: JEDEC Cấp độ 3
Unbias HAST: 121 ℃, 100% RH, 2atm, 168 giờ
Nhiệt độ.Đạp xe: -65 ℃ / + 150 ℃, 1000 chu kỳ
Nhiệt độ cao.Lưu trữ: 150 ℃, 1000 giờ
PCB: BT hoặc tương đương (2 ~ 6 lớp)
QFN PKG.
Dịch vụ trọn gói Quad Flat Không có chì, QFN bằng cách sử dụng CSP đế khung chì được bao bọc bằng nhựa với đệm chì ở dưới cùng của gói để cung cấp kết nối điện.Kích thước cơ thể của gói QFN đã giảm 60% so với gói QFP thông thường.Nó cung cấp hiệu suất điện tốt bởi dây dẫn bên trong và dây ngắn.Gói QFN với kích thước nhỏ, nhẹ, cải thiện nhiệt và hiệu suất điện tốt (nhưng không có khung dẫn được thiết kế lại) có thể đảm bảo khách hàng của chúng tôi có được các giải pháp hiệu quả về chi phí.
Đặc trưng
Hệ số hình thức nhỏ, số lượng pin thấp, khung dẫn đầu, hiệu suất chi phí tuyệt vời
Cấu trúc: QFN có các miếng đệm điện cực ở dưới cùng của gói thay vì các dây dẫn.
Ứng dụng: Thiết bị di động nhỏ, điện thoại di động, v.v.
Sân bóng: 0,40 / 0,50 / 0,65 mm
Kích thước cơ thể 4 × 4 mm đến 7 × 7 mm
Số chân: 16 đến 48 chân
Kích thước cơ thể khác nhau, từ 1x1mm đến 10x10mm
Số lượng khách hàng tiềm năng khác nhau, từ 4 đến 256
Các cao độ 0,35, 0,4, 0,5 và 0,65 mm có sẵn
Chiều cao gắn 0,9mm
Tuân theo JEDEC MO-220
Cấu trúc nâng cao - Flipchip, Routable (MIS)
LF: LF
Chất kết dính: Chất kết dính
Dây: dây
EMC: EMC
Bóng hàn: Kết thúc bằng chì
Marking: Đánh dấu
Đóng gói: Đóng gói
Độ nhạy cảm với độ ẩm: JEDEC Mức 1/2/3
Unbias HAST: 121 ℃, 100% RH, 2atm, 168 giờ
Nhiệt độ.Đạp xe: -65 ℃ / + 150 ℃, 1000 chu kỳ
Nhiệt độ cao.Lưu trữ: 150 ℃, 1000 giờ
eMMC pkg.Cơ chất
Được thiết kế cho một loạt các ứng dụng trong điện tử tiêu dùng, điện thoại di động, máy tính cầm tay, hệ thống định vị và sử dụng công nghiệp khács, e.MMC là một hệ thống bộ nhớ không bay hơi được nhúng, bao gồm cả bộ nhớ flash và bộ điều khiển bộ nhớ flash, giúp đơn giản hóa thiết kế giao diện ứng dụng và giải phóng bộ xử lý chủ khỏi việc quản lý bộ nhớ flash cấp thấp.Điều này mang lại lợi ích cho các nhà phát triển sản phẩm bằng cách đơn giản hóa quá trình thiết kế và thẩm định giao diện bộ nhớ không thay đổi - dẫn đến giảm thời gian đưa ra thị trường cũng như tạo điều kiện hỗ trợ cho các dịch vụ thiết bị flash trong tương lai.Kích thước gói BGA nhỏ và mức tiêu thụ điện năng thấp khiến e.MMC trở thành giải pháp bộ nhớ khả thi, chi phí thấp cho các sản phẩm di động và các sản phẩm hạn chế về không gian khác.
eMMC là một giải pháp bộ nhớ nhúng tiêu chuẩn JEDEC được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu của điện thoại thông minh.eMMC bao gồm cả NAND Flash và bộ điều khiển được tích hợp trong một gói giúp tiết kiệm diện tích chiếm dụng của các thành phần trên PCB và trở thành xu hướng lưu trữ nhúng chủ đạo cho điện thoại thông minh.
Đăng kí
• Máy tính bảng
• Thiết bị đeo được
• Thiết bị giải trí
• Điện tử ô tô
